Rupjš silīcija karbīds
video

Rupjš silīcija karbīds

Rupjais silīcija karbīds ir salikts pusvadītāju materiāls, kas sastāv no silīcija (Si) un oglekļa (C). Tam ir ļoti spēcīga saite un tas ir termiski, ķīmiski un mehāniski stabils.
Nosūtīt pieprasījumu
Produkta ievads

Silīcija karbīds 100 grunts Apraksts

Trešās paaudzes pusvadītāju lieljaudas jaudas elektroniskās ierīces, ko pārstāv SiC, ir viena no visstraujāk augošajām jaudas pusvadītāju ierīcēm spēka elektronikas jomā.

 

Silīcija karbīds kā tipisks trešās paaudzes pusvadītāju materiālu pārstāvis, bet arī visnobriedušākā kristāla ražošanas tehnoloģija un ierīču ražošanas līmenis, viens no visplašāk izmantotajiem platjoslas platuma pusvadītāju materiāliem, ir izveidojis globālu materiālu, ierīču un lietojumprogrammu nozares ķēdi. Tas ir ideāls pusvadītāju materiāls augstas temperatūras, augstfrekvences, starojuma izturīgiem un lieljaudas lietojumiem.

 

 

 

 

Silīcija karbīda izstrādājumu specifikācijas

Silīcija karbīda produktu piegādātāji-ZhenAn International

 

 

TIPISKA ĶĪMISKĀ ANALĪZE
Pik 99.05%
SiO2 0.20%
F,Si 0.03%
Fe2O3 0.10%
F.C 0.04%
TIPISKĀS FIZISKĀS ĪPAŠĪBAS
Cietība: Moss: 9,5
Kušanas temperatūra: Sublimējas 2600 grādos
Maksimālā darba temperatūra: 1900 grādi
Īpatnējais smagums: 3,2 g/cm³
Tilpuma blīvums (LPD): 1.{1}}.6 g/cm3
Krāsa: Zaļš
Daļiņu forma: Sešstūrains

 

Silicon Carbide 100 Grit ražotājs-ZhenAn International

Silicon Carbide 100 Grit manufacturer-ZhenAn International

 

SiC pulvera piegādātājs-ZhenAn

 SiC Powder supplier-ZhenAn

 

Mehāniskās īpašības:augsta cietība (Kjeldāla cietība 3000kg/mm²), var griezt rubīnu; augsta nodilumizturība, otrajā vietā pēc dimanta.

 

Termiskās īpašības:siltumvadītspēja pārsniedz metāliskā vara siltumvadītspēju, 3 reizes pārsniedz Si un 8 līdz 10 reizes pārsniedz GaAs, laba siltuma izkliede, ļoti svarīga lieljaudas ierīcēm.

 

Ķīmiskās īpašības:izturība pret koroziju ir ļoti spēcīga, istabas temperatūrā var izturēt gandrīz visus zināmos korozīvos līdzekļus. SiC virsmas viegla oksidēšana, lai radītu plānu SiO2 slāni, var novērst tā turpmāku oksidēšanos augstāk par 1700 grādiem, šis oksīda plēves slānis kūst un ātri oksidējas. SiC var izšķīdināt izkausētā oksidētāja materiālā.

 

Elektriskās īpašības:4H-SiC un 6H-SiC joslu atstarpe ir aptuveni 3 reizes lielāka nekā Si, 2 reizes lielāka nekā GaAs; tā sadalīšanās elektriskā lauka stiprums ir par vienu kārtu lielāks nekā Si, un piesātinājuma elektronu dreifēšanas ātrums ir 2,5 reizes lielāks nekā Si. 4H-SiC ir plašāka joslas atstarpe nekā 6H-SiC.

 

36 Grit Silicon Carbide Klientu apmeklējuma fotogrāfijas

36 Grit Silicon Carbide Customer visit photos

 

FAQ

 

 

J: Vai cena ir apspriežama?

A: Jā, lūdzu, sazinieties ar mums jebkurā laikā, ja jums ir kādi jautājumi. Un klientiem, kuri vēlas paplašināt tirgu, mēs darīsim visu iespējamo, lai tos atbalstītu.

J: Vai varat piegādāt bezmaksas paraugus?

A: Jā, mēs varam nodrošināt klientiem bezmaksas paraugus, lai viņi varētu pārbaudīt kvalitāti vai veikt ķīmiskās analīzes, taču, lūdzu, pastāstiet mums detalizētas prasības, lai mēs sagatavotu pareizos paraugus.

J: Kad jūs varat piegādāt preces?

A: Parasti mēs varam piegādāt preces 15-20 dienu laikā pēc avansa maksājuma vai sākotnējā L/C saņemšanas.

J: Vai varat iesniegt pārbaudes ziņojumu, ko izdevusi SGS vai cita trešās puses pārbaude?

A: Jā, mēs varam, ja klienti pieprasa trešās puses pārbaudes ziņojumus.

Mēs patiesi ceram būt jūsu partneris, laipni aicinām jaunus un vecus klientus apmeklēt ceļvedi, kā arī dažādas tirdzniecības sadarbības sarunas!

Populāri tagi: rupjais silīcija karbīds, Ķīnas rupjā silīcija karbīda ražotāji, piegādātāji, rūpnīca

Nosūtīt pieprasījumu

Mājas

Telefons

E-pasts

Izmeklēšana