Rupjš silīcija karbīds
Silīcija karbīds 100 grunts Apraksts
Trešās -paaudzes pusvadītāju lieljaudas-elektroniskās ierīces, ko pārstāv SiC, ir viena no visstraujāk augošajām jaudas pusvadītāju ierīcēm jaudas elektronikas jomā.
Silīcija karbīds kā tipisks trešās paaudzes pusvadītāju materiālu pārstāvis, bet arī visnobriedušākā kristāla ražošanas tehnoloģija un ierīču ražošanas līmenis, viens no visplašāk izmantotajiem platjoslas platuma pusvadītāju materiāliem, ir izveidojis globālu materiālu, ierīču un lietojumprogrammu nozares ķēdi. Tas ir ideāls pusvadītāju materiāls augstas -temperatūras, augstas{2} frekvences, starojuma-izturīgiem un lielas{4}} jaudas lietojumiem.
Silīcija karbīda izstrādājumu specifikācijas
Silīcija karbīda produktu piegādātāji{0}}ZhenAn International
| TIPISKA ĶĪMISKĀ ANALĪZE | |
| SiC | 99.05% |
| SiO2 | 0.20% |
| F,Si | 0.03% |
| Fe2O3 | 0.10% |
| F.C | 0.04% |
| TIPISKĀS FIZISKĀS ĪPAŠĪBAS | |
| Cietība: | Moss: 9,5 |
| Kušanas temperatūra: | Sublimējas 2600 grādos |
| Maksimālā darba temperatūra: | 1900 grādi |
| Īpatnējais smagums: | 3,2 g/cm³ |
| Tilpuma blīvums (LPD): | 1,2-1,6 g/cm3 |
| Krāsa: | Zaļš |
| Daļiņu forma: | Sešstūrains |
Silicon Carbide 100 Grit ražotājs-ZhenAn International
SiC pulvera piegādātājs-ZhenAn
Mehāniskās īpašības:augsta cietība (Kjeldāla cietība 3000 kg/mm²), var griezt rubīnu; augsta nodilumizturība, otrajā vietā pēc dimanta.
Termiskās īpašības:siltumvadītspēja pārsniedz metāliskā vara siltumvadītspēju, 3 reizes pārsniedz Si un 8 līdz 10 reizes pārsniedz GaAs, laba siltuma izkliede, ļoti svarīga lieljaudas ierīcēm.
Ķīmiskās īpašības:izturība pret koroziju ir ļoti spēcīga, istabas temperatūrā var izturēt gandrīz visus zināmos korozīvos līdzekļus. SiC virsmas viegla oksidēšana, lai radītu plānu SiO2 slāni, var novērst tā turpmāku oksidēšanos augstāk par 1700 grādiem, šis oksīda plēves slānis kūst un ātri oksidējas. SiC var izšķīdināt izkausētā oksidētāja materiālā.
Elektriskās īpašības:4H-SiC un 6H-SiC joslu atstarpe ir aptuveni 3 reizes lielāka nekā SiC, 2 reizes lielāka nekā GaAs; tā pārrāvuma elektriskā lauka stiprums ir par vienu kārtu lielāks nekā Si, un piesātinājuma elektronu dreifēšanas ātrums ir 2,5 reizes lielāks nekā Si. 4H-SiC joslas sprauga ir lielāka nekā 6H-SiC.
36 Grit Silicon Carbide Klientu apmeklējuma fotogrāfijas
FAQ
J: Vai cena ir apspriežama?
A: Jā, lūdzu, sazinieties ar mums jebkurā laikā, ja jums ir kādi jautājumi. Un klientiem, kuri vēlas paplašināt tirgu, mēs darīsim visu iespējamo, lai tos atbalstītu.
J: Vai varat piegādāt bezmaksas paraugus?
A: Jā, mēs varam nodrošināt klientiem bezmaksas paraugus, lai viņi varētu pārbaudīt kvalitāti vai veikt ķīmiskās analīzes, taču, lūdzu, pastāstiet mums detalizētas prasības, lai mēs sagatavotu pareizos paraugus.
J: Kad jūs varat piegādāt preces?
A: Parasti mēs varam piegādāt preces 15-20 dienu laikā pēc avansa maksājuma vai oriģinālā L / C saņemšanas.
J: Vai varat iesniegt SGS vai citas trešās puses pārbaudes ziņojumu?
A: Jā, mēs varam, ja klienti pieprasa trešās puses{0}}pārbaudes pārskatus.
Mēs patiesi ceram būt jūsu partneris, laipni aicinām jaunus un vecus klientus apmeklēt ceļvedi, kā arī dažādas tirdzniecības sadarbības sarunas!
Populāri tagi: rupjais silīcija karbīds, Ķīnas rupjā silīcija karbīda ražotāji, piegādātāji, rūpnīca
Jums varētu patikt arī
Nosūtīt pieprasījumu